2012-08-03
发表者 Venus
不能更新。数据库或对象为只读。已关闭评论
报错：
An error occurred on the server when processing the URL. Please contact the system administrator.
If you are the system administrator please click here to find out more about this error.
修改iis，把错误发送到浏览器：
刷新看到错误为：
/admin/addinfo_ok.asp，行 30
错误 ‘80040e09’
确定是数据库文件没有权限写入：添加IIS_IUSRS为完全控制即可。
2012-08-01
发表者 Venus
asp 验证码不显示已关闭评论
把服务器上的asp站放到本地做测试，发现后台验证码不显示，估计是父路径的问题：
在这里是用的相对路径获取getcode.asp页面，iis没启用父路径，导致获取不了验证码。
启用即可。
2012-07-24
发表者 Venus
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一台web，web访问不了，重启httpd失败，存在大量进程，只好杀掉进程再启动，可是进程比较多，不能用kill一个一个的杀吧。用到一个命令：
pkill
look up or signal processes based on name and other attributes
pkill [-signal] [-fvx] [-n|-o] [-P ppid,…] [-g pgrp,…] [-s sid,…] [-u euid,…] [-U uid,…] [-G gid,…] [-t term,…] [pattern]
有好多参数，我这里用的是 – u 根据用户名来结束进程。先ps查看进程是用哪个用户运行的。
[root@oracle smb]# ps axu | grep httpd
root 4121 0.0 0.0 138860 2636 ? Ss 11:10 0:00 /usr/local/apache/bin/httpd -k start
daemon 4139 0.0 0.0 138860 1944 ? S 11:10 0:00 /usr/local/apache/bin/httpd -k start
可以看到是用daemon（还有一个root）运行，那么结束掉跟这个用户所有相关的进程
cut -c 9-15 截取输入行的第9到第15个字符也就是是进程号。
xargs kill -9 xargs 命令是用来把前面命令的输出结果（PID）作为kill -9命令的参数
2012-07-22
发表者 Venus
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硬盘为什么只能分四个主分区呢?这是由个人计算机初期的设计架构决定的.一开始,PC被设计成这样的启动过程,开机时主板BIOS进行自检,当一切OK后,就开始读取硬盘的第一个扇区,俗称硬盘的零扇区。
一个扇区的大小是512字节,这是计算机工业里的标准,无论什么硬盘,一个扇区的大小都是512字节.BIOS把这512字节的内容读出来并执行.这512字节被叫做MBR(Master Boot Record)主引导记录 .这512自己包含了硬盘最重要的信息:分区表.由于空间只有区区512字节,所以分区表的大小就有很大限制,他被设计成十分小但是又足够描述硬盘的分区情况.包括分区的开始扇区,结束扇区,引导标志,分区类型等等.
每个分区信息用16个字节表示,四个分区就用掉了16X4=64个字节, 这64个字节分布在MBR的第467-510字节,俗称的分区表（Partition Table）后面紧接着两个字节55AA被称为幻数(Magic Number),BOIS读取MBR的时候总是检查最后是不是有这两个幻数,如果没有就被认为是一个没有被分区的硬盘.尽管分区表中明明有数据,也会报错,告诉你系统不存在.所以,对硬盘加密的简单办法就是从MBR中察掉这两个字节.那么这个硬盘挂到任何电脑上都会显示为一个没有分区的空白硬盘.但是只要把这两个字节重新写上,数据又能读出.当然,你得知道怎么重新写上.
如果分的一个主分区，一个扩展分区，实际才用去分区表32字节，还有两个为零。扩展分区里面没有分区表限制，想分好多就有好多.
2012-06-29
发表者 Venus
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金属导电是电子导电，电子在电场的作用下做定向漂移运动，形成金属中的电流。电子在金属导体中定向运动时，受到的阻碍作用愈小，导体呈现的电阻就愈小。反之，电子运动受到的阻碍作用愈大，它运动得就愈不自由，导体所呈现的电阻就愈大。
电子在定向漂移运动中，受到的阻碍作用是电子与金属中晶体点阵上的原子实碰撞产生的。在金属导体中，晶体点阵上的原子实，虽然基本上保持规则的排列，但并不是静止不动的。每个原子实都在自己的规则位置附近不停地做热振动，整个导体中原子实的热振动并没有统一步调。这样，就在一定程度上破坏了原子实排列的规则性，形成了对电子运动的阻碍作用。原子实的热振动离开自己规则位置愈远，与电子相碰的机会愈多，电子漂移受到的阻碍作用就愈大，导体呈现的电阻也就大起来了。 （温度越高，分子的热运动越剧烈）
综上所述，问题的答案就不难得出来了，因为温度升高时，原子实的热振动加强，振动的幅度加大，于是，做定向漂移的电子与原子实相碰的机会增多，碰撞次数也增加，所以，金属导体的电阻就增加了。对于纯金属来说，电阻随温度的变化比较规则；在温度变化范围不大时，电阻与温度之间的关系为 ：
R ＝ R 0 ＋（ 1 ＋α） t
式中 R 0 是 0 ℃时金属导体的电阻，α为该金属导体的电阻温度系数。不同金属材料的电阻温度系数α亦不相同。
(有些合金的电阻随温度变化很小 。)